PHD18NQ10T,118
NXP Semiconductors / Freescale
Deutsch
Artikelnummer: | PHD18NQ10T,118 |
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Hersteller / Marke: | NXP Semiconductors / Freescale |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 79W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen | 934055700118 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount DPAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
PHD18NQ10T,118 Einzelheiten PDF [English] | PHD18NQ10T,118 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() PHD18NQ10T,118NXP Semiconductors / Freescale |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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